电商fcst,电商FCST?
经济观察报 记者 郑晨烨 “水逆”持续已久的存储芯片市场现正迎来转机。
自11月以来,多个存储芯片概念股表现强劲。协创数据(300857.SZ)在披露旗下子公司已开始小批量交付存储芯片后,股价从27.6元飙升至55.42元,涨幅达100.65%。同时,亚威股份(002559.SZ)通过全资收购韩国GSI公司进入存储芯片测试领域,股价在本月内也上涨了59.63%。而专注于SSD固态硬盘、DRAM内存条和嵌入式存储的朗科科技(300042.SZ)同样在11月实现了45.36%的涨幅。
一些相关公司的股票价格正在回升,背后原因是曾经持续下跌的存储芯片价格在今年四季度开始显著上涨。根据行业权威咨询机构CFM闪存市场的数据,自10月以来,现货市场的NAND Flash(闪存)价格指数已上涨40%。记者从华南的一些存储芯片经销商处了解到,近几个月,包括三星、西部数据和金士顿等知名品牌的固态硬盘产品,其价格均有明显的回升,幅度普遍在100元至130元之间。
有市场分析认为,当前存储芯片价格的回升,是产业链上下游协同作用的直接结果。经历了2022年的严峻挑战后,以三星电子和SK海力士为首的存储芯片制造商们面临着显著的业绩下降,甚至出现了亏损。因此,行业内普遍达成了“通过提价和减产来恢复”的共识。
除了积极实施去库存策略的上游企业,消费电子市场也展现出复苏的迹象。根据IDC的调研数据,2023年10月23日至11月3日期间,整体PC市场(包括电商平台、厂商官网以及线下传统渠道的笔记本和台式机)销量同比增长了1.4%。此外,平板电脑的销售同比提升了13.5%,手机市场的销量提高了10.2%,显示器市场的销量也有5.3%的增长,而智能手表(不包括儿童手表)的销量则同比增长了23.6%,手环市场的销量也上升了15.2%。
IDC分析显示,在今年的“双11”期间,PC、手机和平板这三大主流消费电子产品的需求超过了预期,这也成为推动整体智能终端市场增长的重要因素之一。
CFM闪存市场分析师孙梦维表示,从存储行业供需的角度来看,虽然目前相关产品的价格仍处于低位,但个别下游渠道商可能会通过小幅降价来促进销售和增加现金流。然而,这种行为不会改变整体市场上行的趋势。
大力去库存终有效果
由于终端需求疲软和产业链库存不断增加,自2022年起,存储芯片行业正面临着前所未有的困境。
三星电子的第三季度财报显示,其存储芯片业务营收为10.53万亿韩元,同比下降了31%。同时,包含存储芯片业务的半导体部门(DS部门)在该季度遭遇了高达3.75万亿韩元的净亏损。与此类似,SK海力士在2023财年第三季度的营收达到了9.0662万亿韩元,营业亏损为1.79万亿韩元,净亏损则为2.19万亿韩元。而美光科技在2023财年第四财季的数据显示,该季度营收为40.1亿美元,同比下降了39.64%,净亏损达到14.3亿美元。
在A股市场中,主要的上市存储企业在第三季度的业绩表现不尽如人意。兆易创新(603986.SH)在2023年前三季度的营收为43.94亿元,同比下滑了35.08%,归属于母公司的净利润仅为4.34亿元,同比大幅暴跌79.27%。佰维存储(688525.SH)在同一时期的营收大约为21.22亿元,同比减少2.88%,同时归属于母公司的净亏损约为4.84亿元。江波龙(301308.SZ)在2023年前三季度的营收为65.79亿元,同比小幅下降0.73%,归母净亏损则达到了8.83亿元。
孙梦维指出,三星、SK海力士、美光、铠侠和西部数据这五家主要厂商在最近一段时间内的整体财务状况令人担忧。它们在第一季度的亏损达到100亿美元,第二季度减少至85亿美元,第三季度进一步压缩到65亿美元,总计亏损达到250亿美元,这样的压力可想而知。
在持续亏损的情况下,提升财务报告的表现已成为各大存储厂商唯一的关注焦点。
孙梦维向记者表示,对于存储原厂而言,减少产量和调控产能释放是实现业绩回暖最有效的方法。根据CFM闪存市场的数据,目前主要存储原厂的NAND Flash减产幅度普遍在30%到50%之间,特别是那些占据较大市场份额的成熟制程产品,各大厂商对明年的资本投入和产能释放也采取了谨慎的态度,需根据库存和盈利状况灵活作出调整。
“这轮下行周期是近几年中持续时间最长、跌幅最深的一次,给众多原厂带来了前所未有的经营挑战。正如物极必反,在如此高压的环境下,各大存储厂商纷纷采取一致措施,强力减产以提升价格,显示出他们面对巨大的压力所采取的坚定决心。”孙梦维表示。
集邦咨询的分析师敖国锋向记者透露,国际存储行业的大型企业减产的主要目的是为了消化市场上过剩的存储芯片库存,从而遏制存储芯片价格的进一步下跌。目前,这一策略在第四季度已显现成效,闪存芯片产品在本季得到了全面回升。
除了优化产能和降低库存,一些不愿意继续承受亏损的存储行业巨头们也开始联合提高价格。
最近市场传出消息,三星电子已与其主要客户达成了采购协议,并计划在第四季度将合约价格提高10%至25%。在各类产品中,SSD的价格调涨幅度最大,最高达到30%。此外,SK海力士在10月份也正式宣布,将对DRAM和NAND闪存芯片进行涨价,而美光科技则有意跟随这个价格调整趋势。
三大应用市场“回温”
在10月31日举行的三星电子财报电话会议上,公司高层表示,由于PC和移动设备高密度产品的日渐普及,以及客户库存调整即将结束,加之高端面向人工智能的产品需求依旧强劲,整体需求环境有所好转。
“在整个行业普遍减产的背景下,市场对于行业触底的认知逐渐加深,我们收到了许多购置咨询。在持续注重盈利能力的运营策略下,我们不断扩大如HBM/DDR5和UFS4.0等先进节点产品的销售。针对那些库存较高的传统产品,我们通过减少生产来控制库存。”三星电子的一位高管在财报电话会议上表示。
孙梦维向记者表示,下半年三大应用市场(包括服务器、移动设备和个人电脑)呈现出回暖趋势。然而,存储价格的下降促使终端设备的平均容量不断增加,进而产生了存储“甜蜜点效应”。
她提到,目前在主要的三大应用市场中,手机需求明显回暖,全球手机销量呈现出环比增长的趋势。受到华为的强势回归以及国内手机配置水平提升的带动,中国的手机市场也得到了积极的提振。
根据各大手机品牌厂商的销售预测,预计2024年的智能手机销量将略微增长,相较于2023年有一定提升。2023年全球智能手机出货量预计为11.5亿部,这一数字是近年来的最低点,但预计到2024年将回升至12亿部。同时,今年PC市场的需求逐渐改善,渠道库存回落至正常水平,在新处理器平台和Windows更新的催化下,明年将出现一定的换机潮。预计2024年PC出货量将从2023年下降14%中回升,增长达到8%。孙梦维如是说。
在三季度的业绩交流会上,兆易创新的管理层提到,随着减产效应逐渐显现,供需关系有望实现平衡,大宗存储产品的价格可能会继续回升,但预计不会出现剧烈的波动。
存储市场可分为两大类:大存储和利基存储。大存储主要包括用于智能手机、个人电脑和服务器的DRAM和3D NAND,其主要供应商是以三星为首的国际知名企业。大存储经历了约六到七个季度的价格下滑,目前在今年第三季度已触及底部区域。由于主要厂商的减产措施,市场供需状况趋向基本平衡。在今年第三季度末,大存储的价格出现了小幅反弹,而这波反弹对利基存储也产生了积极影响,推动利基存储的价格开始筑底并略有上升。——兆易创新管理层的分析。
根据集邦咨询资深研究副总经理吴雅婷的观点,展望2024年,存储市场面临的三个主要关注点包括:首先,经过减产后,原厂的库存水平已经开始回落,但还需观察库存是否能够持续向买方市场转移;其次,预计原厂的生产能力将逐步提升,如果市场情况好转导致生产率提前恢复,将可能使供需关系再度失衡;最后,各个终端需求是否能够达到预期的回升,特别是与AI相关的订单的持续性将成为关键。
然而,她同样向记者指出,目前存储芯片市场的涨势延续性仍存在不确定性,主要是由于实质终端需求不足。如果2024年下半年需求如预期回暖,特别是在服务器SSD的采购活跃度提高的情况下,若供应商缓慢恢复产能利用率,逐步实现供需平衡,闪存价格有可能在全年内呈现上升趋势。
国产存储的新突破
自今年以来,国内企业在两大主要类型的存储芯片(DRAM和NAND Flash)方面都实现了新的进展。
在2023年11月28日,长鑫存储正式宣布推出其LPDDR5系列产品,涵盖12Gb的LPDDR5颗粒、12GB POP封装的LPDDR5芯片以及6GB DSC封装的LPDDR5芯片。
根据该公司官网的说明,他们自主研发的12GB LPDDR5芯片已成功应用于国内众多知名手机品牌,包括小米和传音等。长鑫存储表示,DDR5产品的发布将进一步增强其在动态随机存取存储(DRAM)芯片领域的产品体系。
DRAM芯片市场长期以来主要由三星、SK海力士及美光等国际存储公司掌控。根据东海证券在今年9月发布的一份研究报告,2023年第二季度,三星电子在全球DRAM市场的营收占比达到38.14%,SK海力士的占比为32.29%,而美光则占据了25.03%的市场份额,这表明市场的集中程度非常高。这种寡头垄断的局面导致国内厂商在DRAM芯片的议价能力较弱,使得该产品成为我国受外部影响最为严重的基础产品之一。
因此,长鑫存储在推出其首款国产高端DRAM产品后,业内专家向记者表示,DDR5内存是一种高效能的解决方案,特别适用于手机及便携式设备。与此前的版本相比,DDR5在数据传输性能上更为出色,同时能耗也更低。长鑫存储成功实现了国产LPDDR5产品的从无到有的突破,这对于当前急需复苏的产业链而言,无疑是一个积极的信号。
此外,在NAND Flash行业中,长江存储旗下的唯一零售存储品牌——致态于今年9月发布了一款名为Ti600的固态硬盘。该硬盘采用了长江存储自产的QLC闪存颗粒,采用自有技术架构,顺序读取速度可达7000MB/s,且提供500GB、1TB和2TB等多种容量供用户选择。
长江存储的态产品线负责人刘舒雯指出,QLC闪存芯片在性能和寿命方面持续进行优化,这使得基于该技术的固态硬盘逐步进入消费者市场。“当前,NAND Flash技术正在向可以叠加200层或更多层的方向发展,这意味着储存设备能够容纳更多数据。同时,DRAM内存技术也在不断进步,制造出小于1纳米的芯片,提高了它们的效率。”CFM闪存市场的分析师戴晓瑜对记者表示。然而,有专家提醒,由于目前先进制程设备的产能受限,要在未来实现国产存储芯片的200层以上技术,仍需依赖国内半导体设备公司的技术进展。
一位来自上海大型券商的半导体研究员向媒体表示,国产存储芯片行业由于起步晚,技术积累相对不足,这使得大多数国内企业主要集中于细分市场,与存储三巨头形成了差异化竞争。近年来,像兆易创新、长江存储、长鑫存储和武汉新芯等具有代表性的存储芯片设计和制造公司,在DRAM和NAND Flash领域逐渐突破了技术障碍,预计国产品牌将在未来持续影响全球存储芯片市场的竞争态势。
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